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產(chǎn)品中心實驗室搭建PECVD 射頻模塊上海實驗室真空PECVD射頻模塊薄膜均勻沉積
產(chǎn)品簡介
上海實驗室真空PECVD射頻模塊薄膜均勻沉積通過反應氣態(tài)放電，有效地利用了非平衡等離子體的反應特征，從根本上改變了反應體系的能量供給方式低溫熱等離子體化學氣相沉積法具有氣相法的所有優(yōu)點，工藝流程簡單，與傳統(tǒng)CVD系統(tǒng)比較，生長溫度更低，管輝光均勻等效，薄膜均勻沉積。
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PECVD簡介
上海實驗室真空PECVD射頻模塊薄膜均勻沉積PECVD是借助于輝光放電等方法產(chǎn)生等離子體，輝光放電等離子體中：電子密度高109-1012cm3電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍，使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學反應，從而實現(xiàn)薄膜材料生長的一種新的制備技術(shù)。
上海實驗室真空PECVD射頻模塊薄膜均勻沉積通過反應氣態(tài)放電，有效地利用了非平衡等離子體的反應特征，從根本上改變了反應體系的能量供給方式低溫熱等離子體化學氣相沉積法具有氣相法的所有優(yōu)點，工藝流程簡單，與傳統(tǒng)CVD系統(tǒng)比較，生長溫度更低，管輝光均勻等效，薄膜均勻沉積。
上海實驗室PECVD射頻模塊薄膜均勻沉積
KT-PE150S 性能參數(shù)
型號 | KT-PE150S | KT-PE500Z |
信號頻率 | 13.56MHz±0.005% | |
功率輸出范圍 | 0-150W | 0-500W |
功率穩(wěn)定度 | ≤5W | |
最大反射功率 | 40W | |
射頻輸出接口 | 7/16,female 50 Ω | |
功率穩(wěn)定度 | ≤5W | |
匹配方式 | 手動調(diào)節(jié)匹配 | 500W自動匹配 |
耦合方式 | 電感式耦合 | |
輝光壓力 | ≤30Pa | |
供電電壓 | 50/60Hz 220v±10% | |
整機效率 | ≥70% | |
冷卻方式 | 強制風冷 | |
支持爐管直徑 | φ25-φ80 | φ25-φ150 |
感應區(qū) | 210mm | |
整機重量 | 48KG | |
整機尺寸:H x W x D(mm) | 600 x 600x 1100 | |
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